半導(dǎo)體材料迭代：

第一代：鍺Ge,硅Si

第二代：砷化鎵GaAs, 磷化銦InP;

第三代：碳化硅SiC，氮化鎵，GaN, 氧化鋅、氧化鋁，金剛石（鉆石）等；

第三代半導(dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、電子飽和速率、擊穿電場(chǎng)、禁帶寬度、抗輻射能力等，適合制造高溫、高頻、大功率、抗輻射器件，可被應(yīng)用在衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、電源管理、射頻通信等眾多領(lǐng)域。在當(dāng)前的第三代半導(dǎo)體材料中，氮化鎵（GaN）和（SiC）較為成熟，是最具有發(fā)展前景的兩種材料，未來行業(yè)發(fā)展前景較好。

GaN的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在高頻小電力領(lǐng)域，集中在1000V以下，例如通信基站、毫米波等領(lǐng)域。SiC的優(yōu)勢(shì)在于高溫，主要集中在1200V以上的大電力領(lǐng)域，通常應(yīng)用在電力、高鐵、電動(dòng)車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。在中低頻、中低功率領(lǐng)域，GaN和SiC可以互相替代，與創(chuàng)傳統(tǒng)的Si基器件競(jìng)爭(zhēng)。SiC器件最高耐電壓可達(dá)6500V。