1、捷捷微電

核心技術(shù)：晶閘管等半導(dǎo)體分立器件設(shè)計(jì)和制造技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：晶閘管器件；防護(hù)類(lèi)器件（包括TVS、放電管、ESD、集成放電管、貼片Y電容、壓敏電阻等）；二極管器件（包括整流二極管、快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等）；晶體管器件、MOSFET器件、碳化硅器件等。

主要應(yīng)用：消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊、智能穿戴、智能監(jiān)控、光伏、物聯(lián)網(wǎng)等

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司的功率半導(dǎo)體分立器件采取IDM模式，而MOSFET器件采用Fabless+封測(cè)的模式。

2、安世半導(dǎo)體

核心技術(shù)：先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)

主要產(chǎn)品：MOSFET、雙極性晶體管、二極管、ESD器件、GaN FET、模擬和邏輯IC

關(guān)鍵應(yīng)用：汽車(chē)電子、工業(yè)和供電、計(jì)算和消費(fèi)電子、移動(dòng)和可穿戴設(shè)備

競(jìng)爭(zhēng)力：作為聞泰科技全資子公司，安世半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件制造商，全球擁有12萬(wàn)員工，6座工廠，每年生產(chǎn)超過(guò)900億只半導(dǎo)體器件。

3、時(shí)代電氣

核心技術(shù)：牽引電傳動(dòng)和網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝

主要產(chǎn)品：IGBT、雙極器件、碳化硅肖特基二極管、功率組件

關(guān)鍵應(yīng)用：軌道交通、新能源汽車(chē)、供電系統(tǒng)、光伏產(chǎn)業(yè)等

競(jìng)爭(zhēng)力：擁有大功率半導(dǎo)體器件先進(jìn)生產(chǎn)線，是國(guó)內(nèi)軌道交通電氣系統(tǒng)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者。

4、華大半導(dǎo)體

核心技術(shù)：BCD特色工藝技術(shù)

主要產(chǎn)品：功率器件、碳化硅器件、電源管理芯片、MCU、模擬芯片、安全與智能卡芯片

關(guān)鍵應(yīng)用：汽車(chē)電子、工業(yè)控制、安全物聯(lián)網(wǎng)

競(jìng)爭(zhēng)力：公司旗下積塔半導(dǎo)體專(zhuān)注于汽車(chē)電子芯片、IGBT、模擬電路和功率器件的晶圓代工。

5、安世半導(dǎo)體

核心技術(shù)：先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)

主要產(chǎn)品：MOSFET、雙極性晶體管、二極管、ESD器件、GaN FET、模擬和邏輯IC

關(guān)鍵應(yīng)用：汽車(chē)電子、工業(yè)和供電、計(jì)算和消費(fèi)電子、移動(dòng)和可穿戴設(shè)備

競(jìng)爭(zhēng)力：作為聞泰科技全資子公司，安世半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件制造商，全球擁有12萬(wàn)員工，6座工廠，每年生產(chǎn)超過(guò)900億只半導(dǎo)體器件。

6、東微半導(dǎo)體

核心技術(shù)：在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專(zhuān)利技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：高壓超級(jí)結(jié)以及中低壓屏蔽柵MOSFET 產(chǎn)品

主要應(yīng)用：新能源汽車(chē)直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司實(shí)現(xiàn)大規(guī)模銷(xiāo)售的主要產(chǎn)品為具有更高技術(shù)含量的MOSFET 產(chǎn)品，產(chǎn)品線相對(duì)單一，易受市場(chǎng)影響。

7、芯導(dǎo)科技

核心技術(shù)：深槽隔離工藝、改進(jìn)型臺(tái)面工藝、穿通型 NPN結(jié)構(gòu)工藝 TVS技術(shù)平臺(tái)

關(guān)鍵產(chǎn)品：TVS、MOSFET和肖特基等功率器件，以及電源管理芯片

主要應(yīng)用：消費(fèi)類(lèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防、工業(yè)等領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司的TVS管和ESD保護(hù)器件在手機(jī)市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。

8、東微半導(dǎo)體

核心技術(shù)：在高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)領(lǐng)域積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計(jì)及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專(zhuān)利技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：高壓超級(jí)結(jié)以及中低壓屏蔽柵MOSFET 產(chǎn)品

主要應(yīng)用：新能源汽車(chē)直流充電樁、5G基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和工業(yè)照明電源等。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司實(shí)現(xiàn)大規(guī)模銷(xiāo)售的主要產(chǎn)品為具有更高技術(shù)含量的MOSFET 產(chǎn)品，產(chǎn)品線相對(duì)單一，易受市場(chǎng)影響。

9、新潔能

核心技術(shù)：功率MOSFET設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET以及IGBT等產(chǎn)品

主要應(yīng)用：消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子以及新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、5G、光伏新能源等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司擁有1500款左右的細(xì)分型號(hào)產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)中MOSFET產(chǎn)品系列最齊全且技術(shù)先進(jìn)的設(shè)計(jì)企業(yè)之一。

10、新潔能

核心技術(shù)：功率MOSFET設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：溝槽型功率MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET以及IGBT等產(chǎn)品

主要應(yīng)用：消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)電子以及新能源汽車(chē)/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、5G、光伏新能源等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司擁有1500款左右的細(xì)分型號(hào)產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)中MOSFET產(chǎn)品系列最齊全且技術(shù)先進(jìn)的設(shè)計(jì)企業(yè)之一。

11、瑞能半導(dǎo)體

核心技術(shù)：晶閘管平面制造技術(shù)、功率快恢復(fù)二極管的先進(jìn)載流子壽命控制技術(shù)、碳化硅二極管產(chǎn)品設(shè)計(jì)技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：碳化硅二極管和MOSFET、晶閘管、功率二極管

主要應(yīng)用：家電、消費(fèi)電子、通信電源、工業(yè)制造、新能源及汽車(chē)等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司晶閘管產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率，在國(guó)內(nèi)排名第一、全球排名第二。

12、斯達(dá)半導(dǎo)

核心技術(shù)：IGBT、快恢復(fù)二極管等功率芯片設(shè)計(jì)技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：IGBT、快恢復(fù)二極管等功率芯片，以及IGBT、MOSFET、SiC等功率模塊

主要應(yīng)用：新能源、新能源汽車(chē)、電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司在2019年全球IGBT模塊市場(chǎng)排名第七。

13、芯派科技

核心技術(shù)：MOSFET、IGBT、二極管、整流器等功率器件設(shè)計(jì)技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：中大功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、二極管(含快速恢復(fù)二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等。

主要應(yīng)用：充電器、適配器、LED電源、TV電源、PC電源、服務(wù)器電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、網(wǎng)通產(chǎn)品(機(jī)頂盒)、太陽(yáng)能逆變電源、UPS電源、通訊模塊、汽車(chē)充電樁模塊等多個(gè)領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：該公司設(shè)有西安半導(dǎo)體功率器件測(cè)試應(yīng)用中心（國(guó)家CNAS & 國(guó)際ILAC認(rèn)證實(shí)驗(yàn)室）、新能源汽車(chē)動(dòng)力控制研發(fā)中心和西安寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用中心。

14、瞻芯電子

核心技術(shù)：6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品及工藝平臺(tái)

關(guān)鍵產(chǎn)品：SiC功率器件、SiC驅(qū)動(dòng)芯片、SiC模塊

主要應(yīng)用：風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：最近獲得小鵬汽車(chē)戰(zhàn)略投資，在新能源汽車(chē)市場(chǎng)有巨大發(fā)展空間。

15、派恩杰半導(dǎo)體

核心技術(shù)：SiC功率器件技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：SiC MOSFET開(kāi)關(guān)器件、SiC 模塊、SiC SBD、GaN HEMT等

主要應(yīng)用：新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、風(fēng)機(jī)并網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

16、鎵未來(lái)

核心技術(shù)：GaN-on-Si器件技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：Cascode結(jié)構(gòu)氮化鎵器件

主要應(yīng)用：PD快充、服務(wù)器和通信電源、電動(dòng)車(chē)、家電、光伏等。

17、賽微電子（聚能創(chuàng)芯）

核心技術(shù)：GaN功率器件與應(yīng)用設(shè)計(jì)技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：650 V系列增強(qiáng)型GaN功率器件、PD快充

主要應(yīng)用：快充、5G通訊、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：賽微電子已成功研制和生產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件。旗下公司聚能創(chuàng)芯專(zhuān)注于氮化鎵器件的研發(fā)與應(yīng)用設(shè)計(jì)。

18、能華微

核心技術(shù)：高性能增強(qiáng)型Si基GaN功率開(kāi)關(guān)器件技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：GaN外延片以及功率器件

主要應(yīng)用：微波射頻、電力電子、光通訊等領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)力：建立國(guó)內(nèi)首條GaN功率器件生產(chǎn)線，項(xiàng)目計(jì)劃總投資50億元。

19、芯冠科技

核心技術(shù)：氮化鎵功率器件的研發(fā)和制造技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：氮化鎵（GaN）外延片、氮化鎵（GaN）功率器件

主要應(yīng)用：電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

20、芯聚能

核心技術(shù)：車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體元器件設(shè)計(jì)與制造技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：SiC模塊（6-in-1）、SiC模塊（2-in-1）、單管SiC或小模塊、分立器件SiC MOSFET。

主要應(yīng)用：新能源車(chē)、變頻家電、工業(yè)變頻器、光伏發(fā)電、智能電源裝備等領(lǐng)域。

競(jìng)爭(zhēng)力：采用IDM模式的SiC模塊供應(yīng)商，技術(shù)團(tuán)隊(duì)涵蓋封裝核心技術(shù)研發(fā)、芯片設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、測(cè)試驗(yàn)證和應(yīng)用方案、生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)、品質(zhì)管理等多方面人才，主營(yíng)業(yè)務(wù)為碳化硅基和硅基功率半導(dǎo)體器件及模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試及銷(xiāo)售。

21、泰科天潤(rùn)

核心技術(shù)：碳化硅功率器件制造與應(yīng)用技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：碳化硅芯片和碳化硅功率器件，包含各種封裝形式的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET和碳化硅模塊。

主要應(yīng)用：光伏逆變器、充電樁、OBC、車(chē)載DC-DC、通信電源、高端服務(wù)器電源、工業(yè)電源、PC電源等領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)力：擁有完整的碳化硅加工產(chǎn)線和經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具備SiC芯片、SiC器件的大規(guī)模生產(chǎn)能力。另外，也為客戶提供SiC代工服務(wù)。

22、基本半導(dǎo)體

核心技術(shù)：650V~10kV 碳化硅工藝技術(shù)

主要產(chǎn)品：全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、1200V碳化硅MOSFET、車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品；150mm 碳化硅外延片

關(guān)鍵應(yīng)用：新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制、國(guó)防軍工等領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：汽車(chē)級(jí)碳化硅功率模塊專(zhuān)用產(chǎn)線開(kāi)通，采用全銀燒結(jié)、DTS+TCB等先進(jìn)工藝及封裝技術(shù)，2022年產(chǎn)能為25萬(wàn)只模塊，2025年之前將提升至150萬(wàn)只。

23、臻驅(qū)科技

核心技術(shù)：電驅(qū)功率半導(dǎo)體技術(shù)

關(guān)鍵產(chǎn)品：SiC功率模塊、電機(jī)控制器

主要應(yīng)用：新能源車(chē)

競(jìng)爭(zhēng)力：在德國(guó)、上海和柳州設(shè)有研發(fā)和測(cè)試基地，通過(guò)了ISO26262安全ASIL-D流程認(rèn)證。

24、瀚薪科技

核心技術(shù)：車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOS管

關(guān)鍵產(chǎn)品：SiC MOSFET、SiC肖特基二極管、全碳化硅功率模塊

主要應(yīng)用：新能源車(chē)的OBC/DC-DC/ 充電樁、光伏逆變器、通信電源、高端服務(wù)器電源、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、高鐵、航天工業(yè)等。

25、華潤(rùn)微

核心技術(shù)：聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器領(lǐng)域，為客戶提供系列化的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)

主要產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、功率IC、智能傳感器、MCU等

關(guān)鍵應(yīng)用：功率器件聚焦三電應(yīng)用：電池、電源、電機(jī)；智能傳感器聚焦物聯(lián)網(wǎng)和大健康領(lǐng)域

主要客戶：家電類(lèi)有美的、海爾等大的整機(jī)廠商，在低速電動(dòng)車(chē)電機(jī)控制器中占據(jù)了大多數(shù)的市場(chǎng)份額，還有一些小家電和手機(jī)充電器等廠商

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的半導(dǎo)體企業(yè)，公司產(chǎn)品設(shè)計(jì)自主、制造過(guò)程可控，在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已具備較強(qiáng)的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝能力，形成了先進(jìn)的特色工藝和系列化的產(chǎn)品線。華潤(rùn)微擁有一條8英寸專(zhuān)注功率器件晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能5.1萬(wàn)片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動(dòng)12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測(cè)線建設(shè)規(guī)劃，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

26、量微半導(dǎo)體

核心技術(shù)：氮化鎵功率器件，氮化鎵IC，氮化鎵基先進(jìn)電源解決方案

主要產(chǎn)品：氮化鎵功率器件

關(guān)鍵應(yīng)用：USB-PD適配器，智能家居，PC/服務(wù)器電源，電動(dòng)汽車(chē)OBC

主要客戶：比亞迪，美的，小米，福瑞康，航嘉，TCL，海能等

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：最前沿的氮化鎵功率器件技術(shù)及解決方案

27、揚(yáng)杰科技

核心技術(shù)：SiC/IGBT/MOSFET/Clip封裝和晶圓設(shè)計(jì)等研發(fā)技術(shù)平臺(tái)

主要產(chǎn)品：分立器件、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、MOSFET、功率模塊、碳化硅等

關(guān)鍵應(yīng)用：電源、家電、照明、安防、網(wǎng)通、消費(fèi)電子、新能源、工控、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：垂直一體化（IDM）半導(dǎo)體廠商

28、比亞迪半導(dǎo)體

核心技術(shù)：車(chē)規(guī)級(jí)IGBT和SiC器件的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試

主要產(chǎn)品：功率半導(dǎo)體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、MCU、CMOS圖像傳感器、傳感及控制IC、音視頻處理IC等

關(guān)鍵應(yīng)用：新能源汽車(chē)、工業(yè)控制、家電

主要客戶：比亞迪及其他車(chē)企

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT器件供應(yīng)商，半導(dǎo)體器件和電動(dòng)車(chē)系統(tǒng)一體化優(yōu)勢(shì)。

29、吉林華微

核心技術(shù)：功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、終端設(shè)計(jì)和工藝控制技術(shù)

主要產(chǎn)品：以IGBT、MOSFET、BJT(雙極晶體管)為主的全控型功率器件；以Thyristor（晶體閘流管）為主的半控型功率器件；以肖特基二極管、FRD（快恢復(fù)二極管）為主的不可控型功率二極管器件；IPM（功率模塊）；TVS(瞬態(tài)抑制二極管)、Zener(齊納二極管)、TSS（半導(dǎo)體放電管）等半導(dǎo)體保護(hù)器件

關(guān)鍵應(yīng)用：新能源汽車(chē)、光伏、變頻、工業(yè)控制、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：完整的功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線

30、英諾賽科

核心技術(shù)：8英寸GaN-on-Si外延、器件和工藝技術(shù)

主要產(chǎn)品：HV GaN HEMT、LV GaN HEMT、驅(qū)動(dòng)器/控制器

關(guān)鍵應(yīng)用：新能源汽車(chē)、5G通信、數(shù)據(jù)中心、無(wú)線充電和快充、工業(yè)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：建成8英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線，首次將ASML光刻機(jī)引入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線。

31、士蘭微

核心技術(shù)：高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵MOSFET、快恢復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)，形成了比較完整的特色工藝制造平臺(tái)；

主要產(chǎn)品：電源與功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線、MCU產(chǎn)品線、數(shù)字音視頻產(chǎn)品線、射頻與混合信號(hào)產(chǎn)品線、分立器件產(chǎn)品線等；

關(guān)鍵應(yīng)用：消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車(chē)電子、家電；

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：士蘭微電子經(jīng)過(guò)二十多年的發(fā)展，堅(jiān)持走“設(shè)計(jì)制造一體化（IDM）”道路，打通了“芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)了“從5吋到12吋”的跨越，在功率半導(dǎo)體（功率IC、功率器件和功率模塊）、MEMS傳感器、光電產(chǎn)品和高端LED芯片等領(lǐng)域構(gòu)筑了核心競(jìng)爭(zhēng)力，已成為目前國(guó)內(nèi)最主要的IDM公司之一。

32、蘇州固锝

核心技術(shù)：專(zhuān)注于半導(dǎo)體整流器、功率二極管、整流橋和IC封裝測(cè)試

主要產(chǎn)品：橋式整流器、二極管、聚合物靜電抑制器、MOSFET、汽車(chē)整流器等

關(guān)鍵應(yīng)用：電源管理模塊、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)設(shè)備、計(jì)算機(jī)設(shè)備、照明和通訊設(shè)備

主要客戶：HW、蘋(píng)果、比亞迪、松下、偉創(chuàng)力、偉世通、海拉、歐姆龍

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：完整的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線，MEMS-CMOS三位集成制造平臺(tái)

33、氮矽科技

核心技術(shù)：國(guó)產(chǎn)量產(chǎn)級(jí)別650V增強(qiáng)型氮化鎵MOSFET

主要產(chǎn)品：分離式高速氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)芯片（DX1SE-A）、650V增強(qiáng)型氮化鎵MOSFET、氮化鎵功率IC （DX2SE65A150）

關(guān)鍵應(yīng)用：手機(jī)快充、數(shù)據(jù)中心、車(chē)載充電（OBC）、LED電源驅(qū)動(dòng)和5G通信電源等領(lǐng)域