IGBT,即絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor)是結(jié)合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點,具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;
IGBT也是有三個引腳的器件,三個引腳分別是:柵極G,集電極C極和發(fā)射極E極。IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體,IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比,絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益,以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。IGBT 主要用于放大器,用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)本質(zhì)上就是一個電子開關(guān),當(dāng)我們給G極高電平,它就導(dǎo)通了,相當(dāng)于開關(guān)閉合;當(dāng)我們給G極低電平,它就會截止,相當(dāng)于開關(guān)斷開;看到G極,C極,E極大家是不是感到非常熟悉?是的,G極,即是MOS管的柵極G極;C極和E極分別是三極管的集電極C極和發(fā)射極E極,因為IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)是結(jié)合了MOS管的低驅(qū)動電流特性,三極管低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)勢,MOS管是電場驅(qū)動器件,當(dāng)MOS管導(dǎo)通時,它的G極、S極幾乎相當(dāng)于斷路,電流極小,所以說MOS管的驅(qū)動電流低;三極管飽和導(dǎo)通時,它的C極、E極電阻很小,所以說三極管的導(dǎo)通電阻低,所以 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)的等效電路符號是集MOS管和三極管兩者于一身,當(dāng)我們給G極低電平時,IGBT就截止,但G極高電平時,MOS管先導(dǎo)通,然后三極管的C極、E極形成了電流,所以IGBT就導(dǎo)通了,這個就是IGBT的工作原理。
IGBT 是電壓控制器件,因此它只需要一個很小的電壓到柵極即可保持導(dǎo)通狀態(tài)。
由于是單向器件, IGBT 只能在從集電極到發(fā)射極的正向切換電流。IGBT的典型開關(guān)電路如下所示,柵極電壓 VG施加到柵極引腳以從電源電壓 V+ 切換電機(jī) (M)。電阻 Rs 大致用于限制通過電機(jī)的電流。
導(dǎo)通時間( t on):通常由延遲時間 (t dn ) 和上升時間 (t r ) 兩部分組成。
延遲時間 (t dn ):定義為集電極電流從漏電流 ICE上升到 0.1 IC(最終集電極電流)和集電極發(fā)射極電壓從 VCE下降到 0.9VCE的時間。
上升時間 (t r ):定義為集電極電流從 0.1 IC上升到 IC以及集電極-發(fā)射極電壓從 0.9V CE下降到 0.1 VCE的時間。
關(guān)斷時間( t off):由三個部分組成,延遲時間 (t df )、初始下降時間 (t f1 ) 和最終下降時間 (t f2 )。
延遲時間 (t df ):定義為集電極電流從 I C下降到 0.9 I C并且 V CE開始上升的時間。
初始下降時間 (t f1 ):是集電極電流從 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集電極發(fā)射極電壓上升到 0.1 V CE的時間。
最終下降時間 (t f2 ):定義為集電極電流從 0.2 I C下降到 0.1 I C并且 0.1V CE上升到最終值 V CE的時間。
那么IGBT的優(yōu)缺點總結(jié)有哪些呢,如下:
1、先講優(yōu)點部分,IGBT作為一個整體兼有BJT和MOS管的優(yōu)點;
A、具有更高的電壓和電流處理能力;
B、具有非常高的輸入阻抗;
C、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流;
D、電壓控制裝置,即它沒有輸入電流和低輸入損耗;
E、柵極驅(qū)動電路簡單且便宜,降低了柵極驅(qū)動的要求;
F、通過施加正電壓可以很容易地打開它,通過施加零電壓或稍微負(fù)電壓可以很容易地關(guān)閉它;
G、具有非常低的導(dǎo)通電阻;
H、具有高電流密度,使其能夠具有更小的芯片尺寸;
I、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益;
J、具有比 BJT 更高的開關(guān)速度;
K、可以使用低控制電壓切換高電流電平;
L、由于雙極性質(zhì),增強(qiáng)了傳導(dǎo)性;
M、更安全。
2、缺點:
A、開關(guān)速度低于 MOS管;
B、單向的,在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形;
C、不能阻擋更高的反向電壓;
D、比 BJT 和 MOS管 更昂貴;
E、類似于晶閘管的 PNPN 結(jié)構(gòu),它存在鎖存問題;
F、與 PMOS 管 相比,關(guān)斷時間長;
H、類似于晶閘管的 PNPN 結(jié)構(gòu),它存在鎖存問題;
I、與 PMOS 管 相比,關(guān)斷時間長。
深圳世昌隆電子有限公司代理江蘇捷捷微電子股份有限公司的全系列產(chǎn)品,主要產(chǎn)品類別有:車規(guī)MOSFET/車規(guī)TVS管/高中低壓MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各類二極管/整流橋!