MOS管

從符號上來看，MOS管的D、G、S三個極分別是漏極、柵極和源極，它利用電壓來決定漏極與源極的通斷，是一種電壓控制型元件。如果給柵極一個電壓，漏極和源極就會互通，但當柵極電壓為零時，漏極與源極就會截止。此外，MOS管的頻率可以達到千赫茲到兆赫茲。在大電壓的情況下，內(nèi)阻高只能降低功率，MOS管常用在頻率高，電壓要求低的電路中，如開關(guān)電源、車載充電機等。

三極管

IGBT

IGBT是MOS管和三極管的綜合體，也是電壓控制型半導(dǎo)體。它是通過電壓控制集電極與發(fā)射極的通斷頻率。IGBT無法做到MOS管的超高頻率，但在大電壓下內(nèi)阻不變輸出功率大，新能源汽車中電機控制器，空調(diào)壓縮機內(nèi)部用的就是IGBT半導(dǎo)體。

江蘇捷捷微電子股份有限公司是全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件制造商（IDM），擁有4個晶圓廠和4個封測廠，2023年營收已達21億。其中，可控硅的市場占有率已達全球第一。深圳世昌隆電子有限公司作為該公司的正規(guī)授權(quán)代理商，為有效縮短物料交期，循環(huán)備有大量現(xiàn)貨，歡迎有需求的客戶及時聯(lián)系！