MOS管的損耗有哪些呢
發(fā)布時間:2023-10-16    瀏覽:402 次  

 

1、 開關(guān)損耗=開通損耗+關(guān)斷損耗

 

開通損耗:MOS開通期間,既有電流,也有電壓,存在開通損;

耗關(guān)斷損耗:MOS關(guān)斷期間,既有電流,也有電壓,存在關(guān)斷損耗發(fā)生在開和關(guān)期間,與管子的開關(guān)頻率成正比

 

2、 導通損耗

可以通過選型來降低損耗,損耗由系統(tǒng)負載電流決定。Rdson很小,Id電流是由負載決定。

 

改善措施:

1、 增大Igs電流,減少Rg電阻,或者增大驅(qū)動信號的驅(qū)動能力,推挽電路,提高驅(qū)動信號的電壓幅值,不能大于+-20V,有條件+-15V,最好能達到+-12V選型GS電容小的管子,可以選擇快管了;

2、 選型Cdg小的管子,Cgd-米勒電容!

 

深圳世昌隆電子有限公司核心代理產(chǎn)品線-JJM 捷捷微:車規(guī)MOSFET/車規(guī)TVS管/高中低壓MOSFET/可控硅/IGBT/光耦/各類二極管/整流橋; 


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