三極管，MOS管和IGBT這三種半導(dǎo)體功率器件到府工有哪些區(qū)別呢，下面具體從兩方面來闡述：

A、  符號：

三極管有三個極，基極B，集電極C，發(fā)射極E；

MOS管也有三個極，柵極G，源極S，漏極D；

IGBT也是三個極，從圖上可以看到，IGBT，它是三極管和MOS管復(fù)合起來的，所以也有柵極G，集電極c,發(fā)射極e;

B、  應(yīng)用：

三極管是一個電流控制型的，主要是來放大電流的，就是通過基極b電流來控制集電極c的電流，有三種狀態(tài)，導(dǎo)通，飽和及放大，所以三極管能夠作為開關(guān)，也能作為放大元件；

MOS管是電壓控制型的，就是他通過柵極G的電壓來控制漏極D和源極S的溝通，也是有三狀態(tài)，導(dǎo)通，截止和放大；

都有這三種狀態(tài)，那怎么選擇呢？MOS管一般應(yīng)用在電流比較大，功率比較大，而且頻率比較高的場合(比如開關(guān)電源)，而三極管是用來控制電流，功率比較小的一些器件上一般是信號的放大，主要用在弱電上，三極管相比MOS管功耗比較大；

IGBT剛好是三極管和MOS管復(fù)合起來，結(jié)合他們兩個的優(yōu)點，通過電壓來控制電流，IGBT只能用作開關(guān)作用，它沒有放大功能，主要用在大電流，大電壓，大功率上，主要是用在強電上，比如逆變器，變頻器；