世昌隆電子總結(jié)的MOSFET五種損壞原因
發(fā)布時(shí)間:2023-10-13    瀏覽:393 次  

MOS管常見的5種損壞原因:

1、 雪崩破壞

如果在漏極-源極之間外加超出器件額定VD SS的浪涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同)并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象,在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓,并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式,會引起雪崩;

2、 器件發(fā)熱損壞

由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的,發(fā)熱的原因,分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率原因:外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱;瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖負(fù)載短路開關(guān)損耗(接通,斷開)內(nèi)置二極管的TRR損耗(上下橋臂短路損耗與溫度和工作頻率是相關(guān)的),器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等,引起的過電流造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高,使芯片不能正常散熱時(shí),持續(xù)的發(fā)熱,使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞;

3、 內(nèi)置二極管破壞

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí),由于在Fly back時(shí),功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行,導(dǎo)致此二極管破壞的模式;

4、 由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生,在并聯(lián)功率MOS管時(shí)未插入柵極電阻,而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩,高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時(shí),在柵極-漏極電容Cgd和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩,產(chǎn)生破壞;

5、 柵極電涌、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間,如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,及柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中,靜電在GS兩端,而導(dǎo)致的柵極破壞。


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