臺灣AID愛得薄膜電容基本技術(shù)知識一:自愈
發(fā)布時間:2022-05-08    瀏覽:1081 次  

薄膜電容器最重要的特性是它們的自愈性能。在高電壓的作用下清除薄弱點(如:薄膜上的針孔和雜質(zhì))。


蒸鍍在薄膜上的金屬涂層只有20...50nm的厚度,如果薄弱點處的絕緣耐壓強度超過了限度,就會產(chǎn)生介質(zhì)擊穿。在發(fā)生介質(zhì)擊穿的通道內(nèi)產(chǎn)生的高溫(高達6000 K)會使絕緣介質(zhì)變成高壓的等離子氣體,并從電容中釋放出去。在介質(zhì)擊穿點附近的薄薄的金屬層會被高溫的等離子氣體氣化從擊穿通道蒸發(fā)掉。快速膨漲的等離子在幾個微秒后會使擊穿點冷卻下來。這樣在電壓大幅下降前,放電現(xiàn)象停止。介質(zhì)擊穿點附近 的區(qū)域形成絕緣區(qū),電容恢復(fù)之前的耐壓能力。


應(yīng)該注意的是,發(fā)生自愈現(xiàn)象所需要的電壓水平遠遠高出標(biāo)稱電壓。這是一種安全設(shè)計,當(dāng)電容的負載超出額定值時起到保護作用。

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