一、定義

肖特基（Schottky）通常指肖特基二極管（Schottky Diode），其核心特性基于金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢壘（Schottky Barrier）。

二、關(guān)鍵特性

1. 低正向壓降（0.15~0.45V）

• 原理：金屬（如鉑、鎢）與N型半導(dǎo)體接觸時，電子從半導(dǎo)體流向金屬，形成勢壘，但勢壘高度低于PN結(jié)二極管（硅PN結(jié)約0.7V）。

• 優(yōu)勢：適用于高頻、低壓電路（如開關(guān)電源、射頻檢波），減少能量損耗。

• 對比：普通硅二極管正向壓降更高（0.6~1.2V），肖特基效率更優(yōu)。

2. 超快開關(guān)速度

• 無少數(shù)載流子存儲效應(yīng)：肖特基二極管是多數(shù)載流子（電子）器件，反向恢復(fù)時間（trr）極短（可低至納秒級）。

• 應(yīng)用場景：高頻整流（MHz以上）、數(shù)字電路鉗位、高速開關(guān)電源。

• 限制：反向漏電流較大，高溫下更顯著。

3. 高溫敏感性

• 反向漏電流問題：勢壘高度隨溫度升高而降低，導(dǎo)致反向電流指數(shù)級增加（需注意散熱設(shè)計）。

• 材料改進：碳化硅（SiC）肖特基二極管可耐受更高溫（>200℃），適用于汽車電子、工業(yè)設(shè)備。

4. 低結(jié)電容

• 金屬-半導(dǎo)體結(jié)特性：結(jié)電容?。ㄍǔ灼しǎm合高頻信號處理（如微波混頻器、射頻應(yīng)用）。

• 與PIN二極管對比：PIN二極管電容更大，但可承受更高反向電壓。

5. 耐壓與電流限制

• 低反向擊穿電壓：通常<100V（硅基肖特基），高壓場景需選用SiC或GaN肖特基（可達數(shù)千伏）。

• 電流能力：大電流型號（如TO-220封裝）可達數(shù)十安培，但需平衡散熱與效率。

三、肖特基與其他二極管的對比

四、應(yīng)用場景建議

• 推薦使用：開關(guān)電源、便攜設(shè)備、射頻電路、高速數(shù)字信號、新能源汽車、工業(yè)電源。

• 避免場景：高壓反向（>100V）或高溫無散熱設(shè)計的場合。

肖特基二極管的特性使其成為高效率、高頻應(yīng)用的理想選擇，但需根據(jù)具體需求權(quán)衡電壓、溫度及漏電流限制綜合選型。