ACJP0210-8K
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ACJP0210-8K 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM:800V IGTⅡ/Ⅲ:10/10 mA TO-252 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！
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    • ACJP0210-8K 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM:800V  IGTⅡ/Ⅲ:10/10 mA TO-252 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！  

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