ACJT01V-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA SOT-223 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！