ACJT02V-1000SW
瀏覽：46 次 返回上一頁
ACJT02V-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA SOT-223 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！
  • 產(chǎn)品介紹
  • 文檔下載

    • ACJT02V-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA SOT-223  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！           

    填寫表單，獲取產(chǎn)品詢盤報(bào)價(jià)X
    /productsshow/acjt02v_1000sw.html

  • 彭經(jīng)理

  • 微信咨詢

    13631534891

  • 詢盤報(bào)價(jià)

  • 返回頂部