ACJT04F-1000SW瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-220F  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！