ACJT04H-1000CW
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ACJT04H-1000CW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:35/35/35mA TO-251 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！
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    • ACJT04H-1000CW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:35/35/35mA  TO-251 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！   

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