ACJT04K-1000SW
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ACJT04K-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-252 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！
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    • ACJT04K-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-252  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！      

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