ACJT0610-10E
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ACJT0610-10E 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):6A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-263 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!

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