ACJT08A-1000SW
瀏覽:47 次 返回上一頁
ACJT08A-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-220A瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合!
  • 產(chǎn)品介紹
  • 文檔下載
  • ACJT08A-1000SW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-220A瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合!  

    填寫表單,獲取產(chǎn)品詢盤報(bào)價(jià)X
    /productsshow/acjt08a_1000sw.html
  • 彭經(jīng)理

  • 微信咨詢

    13631534891
  • 詢盤報(bào)價(jià)

  • 返回頂部