ACJT08F-1000CW
瀏覽：50 次 返回上一頁
ACJT08F-1000CW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:35/35/35mA TO-220F瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！
  • 產(chǎn)品介紹
  • 文檔下載

    • ACJT08F-1000CW 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:35/35/35mA  TO-220F瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！    

    填寫表單，獲取產(chǎn)品詢盤報價X
    /productsshow/acjt08f_1000cw.html

  • 彭經(jīng)理

  • 微信咨詢

    13631534891

  • 詢盤報價

  • 返回頂部