ACJT105-8W
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ACJT105-8W 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V IGT:5/5/5mA SOT-223-2L 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合!
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    • ACJT105-8W  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V IGT:5/5/5mA  SOT-223-2L 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合!       

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