ACJT110-8N2
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ACJT110-8N2 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA SOT-89-2L 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!
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  • ACJT110-8N2 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA SOT-89-2L 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!       

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