ACJT1210-10A
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ACJT1210-10A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-220A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！可替代下記友商型號：1、ACST1235-7G(意法-ST)；2、ACTT12B-800C(瑞能-WeEn)；
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    • ACJT1210-10A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-220A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACST1235-7G(意法-ST)；

    2、ACTT12B-800C(瑞能-WeEn)；    

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