ACJT1210-8F
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ACJT1210-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220F瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！可替代下記友商型號(hào)：1、ACST1210-7T(意法-ST)；
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    • ACJT1210-8F  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220F瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合！


    可替代下記友商型號(hào)：

    1、ACST1210-7T(意法-ST)；        

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