ACJT1235-10E 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:1000V IGT:35/35/35mA TO-263 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！