ACJT410-8F
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ACJT410-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！可替代下記友商型號：1、ACST410-8FP(意法-ST)； 2、ACTT4X-800E(瑞能-WeEn)；

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    • ACJT410-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACST410-8FP(意法-ST)；

     2、ACTT4X-800E(瑞能-WeEn)；       

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