ACJT425-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:25/25/25mA TO-220F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!
ACJT425-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:25/25/25mA TO-220F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!