ACJT810-8C
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ACJT810-8C 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220C 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!
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  • ACJT810-8C 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-220C 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!    

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