ACJT825-10A
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ACJT825-10A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:25/25/25mA TO-220A瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！

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    • ACJT825-10A  瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:25/25/25mA TO-220A瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！   

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