JMSH1006AC/JMSH1006AE
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MOS管 N型 100V 114A 5.2mΩ TO-220-3L/TO-263-3L
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  • MOS型號(hào):JMSH1006AC,JMSH1006AE

    MOS管 N型 100V 114A 5.2mΩ TO-220-3L/TO-263-3L


    100V N溝道  SGT工藝主推MOS型號(hào):

    JMSH1002AC   TO220-3L

    JMSH1002AE   TO263-3L

    JMSL1003AG   PDFN5x6 

    JMSH1003AG  PDFN5x6 

    JMSL1004BG   PDFN5x6 

    JMSH1004BG  PDFN5x6 

    JMSH1006AG  PDFN5x6 

    JMSL1008AG   PDFN5x6 

    JMSH1008AG  PDFN5x6 

    JMSH1010AG  PDFN5x6 

    JMSH1004AC  TO220-3L 

    JMSH1004BC  TO220-3L 

    JMSH1006AC  TO220-3L 

    JMSH1008AC  TO220-3L 

    JMSH1010AC   TO220-3L 

    JMSL1008AH   TO251-3L 

    JMSL1006AK   TO252-3L 

    JMSL1008AK   TO252-3L 

    JMSH1004AE  TO263-3L 

    JMSH1004BE  TO263-3L 

    JMSH1006AE  TO263-3L 

    JMSH1008AE  TO263-3L 

    JMSH1010AE  TO263-3L


    捷捷微100V SGT MOSFETs具有行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通阻抗及電氣特性,捷捷微電會(huì)持續(xù)結(jié)合自有的先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)與封裝技術(shù).不斷提高產(chǎn)品效能,志在國(guó)際一流,從而滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)應(yīng)用需求。導(dǎo)通阻抗 Rds(on)低至1.8mΩ,F(xiàn)OM 低至185.所有產(chǎn)品均百分百通過(guò) UIS 測(cè)試。憑借低 Coss(291pF)及Qg(21nC),這些元器件能更有效地解決在終端應(yīng)用中存在的電感負(fù)載和軟開關(guān)等難題。此系列 MOSFETs 采用 PDFN5x6 及TO220/251/252/263 封裝,優(yōu)化的框架和引接工藝有效改善熱應(yīng)力,提升質(zhì)量和可靠性,同時(shí)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且不含鹵素。因?yàn)榫邆渥吭降陌踩僮鲄^(qū)域(SOA),這些元器件能充分滿足各種終端在不同應(yīng)用上的要求。包括在新能源電動(dòng)車、自動(dòng)工具、有線快充、BMS、太陽(yáng)能電源、PoE網(wǎng)絡(luò)設(shè)備里的 BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、同步整流、負(fù)載平衡、H-橋等。


    image.png

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