JST04G-800SWD
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JST04G-800SWD 三象限雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA DFN5*6-8L 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！
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