JST04K-800CW-US 三象限雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-252 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景!
JST04K-800CW-US 三象限雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-252 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景!