JST08C-600TW
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JST08C-600TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:600V IGT:5/5/5mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！可替代下記友商型號：1、BTB08-600TW（韋達-WEIDA）；2、BTA208-600D（瑞能-WeEn）；3、BTA208-600D（恩智浦-NXP）
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    • JST08C-600TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:600V IGT:5/5/5mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！


    可替代下記友商型號：

    1、BTB08-600TW（韋達-WEIDA）；

    2、BTA208-600D（瑞能-WeEn）；

    3、BTA208-600D（恩智浦-NXP）

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