JST08H-1200SW
瀏覽：47 次 返回上一頁
JST08H-1200SW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1200V IGT:10/10/10mA TO-251 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應用于各種電氣控制場景！
  • 產品介紹
  • 文檔下載

    • JST08H-1200SW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1200V IGT:10/10/10mA TO-251 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應用于各種電氣控制場景！

    填寫表單，獲取產品詢盤報價X
    /productsshow/jst08h_1200sw.html

  • 彭經理

  • 微信咨詢

    13631534891

  • 詢盤報價

  • 返回頂部