JST10C-600BW
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JST10C-600BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):10A VDRM/VRRM:600V IGT:50/50/50mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景!可替代下記友商型號:1、BTB10-600BW(韋達(dá)-WEIDA)
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  • JST10C-600BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):10A VDRM/VRRM:600V IGT:50/50/50mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景!


    可替代下記友商型號:

    1、BTB10-600BW(韋達(dá)-WEIDA)

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