JST10C-800CW
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JST10C-800CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):10A VDRM/VRRM:00V IGT:35/35/35mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！
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    • JST10C-800CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):10A VDRM/VRRM:00V IGT:35/35/35mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！

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