JST12C-1000SW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):12A  VDRM/VRRM:1000V  IGT:10/10/10mA  TO-220C  三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景！