JST16C-1200BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM:1200V IGT:50/50/50mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景！