JST16C-600TW
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JST16C-600TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM:600V IGT:5/5/5mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應用于各種電氣控制場景!可替代下記友商型號:1、BTA216-600D(瑞能-WeEn);2、BTA216-600D(恩智浦-NXP);3、BTA316-600D(瑞能-WeEn);4、BTA316-600D(恩智浦-NXP)
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  • JST16C-600TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM:600V IGT:5/5/5mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應用于各種電氣控制場景!


    可替代下記友商型號:

    1、BTA216-600D(瑞能-WeEn);

    2、BTA216-600D(恩智浦-NXP);

    3、BTA316-600D(瑞能-WeEn);

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  • 彭經(jīng)理

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