JST16E-1200TW
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JST16E-1200TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM:1200V IGT:5/5/5mA TO-263 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應用于各種電氣控制場景！
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