JST26Z-1200BW
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JST26Z-1200BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):25A VDRM/VRRM:1200V IGT:50/50/50mA TO-3P 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！
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