JST30C-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景!
JST30C-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景!