JST30E-600CW
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JST30E-600CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:600V IGT:35/35/35mA TO-263 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應用于各種電氣控制場景!
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  • JST30E-600CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:600V IGT:35/35/35mA TO-263 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應用于各種電氣控制場景!

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