JST41Z-600TW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):40A VDRM/VRRM:600V IGT:5/5/5mA TO-3P 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景！