JST60Z-800BW
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JST60Z-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):60A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-3P 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景!
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  • JST60Z-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):60A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-3P 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景!

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