T3050H-8C 高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-220C 高節(jié)溫雙向可控硅工作結溫 TJ = -40 ~ 150°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載、環(huán)境溫度較高的場景!
T3050H-8C 高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):30A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-220C 高節(jié)溫雙向可控硅工作結溫 TJ = -40 ~ 150°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載、環(huán)境溫度較高的場景!