ACJ110-8U
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ACJ110-8U 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V IGTⅡ/Ⅲ:10/10 mA TO-92 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！可替代下記友商型號：1、ACT108-800E(瑞能-WeEn)；
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    • ACJ110-8U 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM:800V  IGTⅡ/Ⅲ:10/10 mA TO-92 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACT108-800E(瑞能-WeEn)；         

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