T835H-8K高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-252高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C，擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載、環(huán)境溫度較高的場景！