ACJT1235-8E
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ACJT1235-8E 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-263 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！可替代下記友商型號：1、ACST1235-8FP(意法-ST)； 2、ACTT12X-800C(瑞能-WeEn)；
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    • ACJT1235-8E 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA  TO-263 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACST1235-8FP(意法-ST)； 

     2、ACTT12X-800C(瑞能-WeEn)；      

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