ACJT1235-8F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-220F 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負載,電磁干擾較嚴重的場合!
可替代下記友商型號:
1、ACST1235-7T(意法-ST);
彭經(jīng)理
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