ACJT1610-10A 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-220A 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強??梢猿惺茌^大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!
ACJT1610-10A 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):16A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-220A 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強。可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!
