ACJT835-8E
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ACJT835-8E 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM: 800V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:35/35/35mA TO-263 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！
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